随着计算机科技的不断发展，存储技术也在不断进步。现在常用的闪存存储技术主要有TLC和QLC两种。那么，这两种存储技术的差距到底有多大呢？

首先，需要了解TLC和QLC的概念。TLC是三比特存储技术，也就是每个存储单元可以存储三个比特的数据。而QLC则是四比特存储技术，每个存储单元可以存储四个比特的数据。因此，QLC的存储密度比TLC更高，可以在同样的面积内存储更多的数据。

然而，QLC的高存储密度也带来了一些问题。首先是QLC的寿命较短。因为每个存储单元需要存储更多的比特数据，所以其寿命相对较短，容易出现失效等问题。而TLC则相对更加耐用，寿命更长。其次，QLC的写入速度也较慢。因为每个存储单元需要存储更多的数据，所以每次写入数据需要的时间也会更长。

因此，从以上两个方面来看，TLC和QLC的差距是比较大的。虽然QLC的存储密度更高，但其寿命较短，容易出现失效等问题，同时写入速度也较慢。因此，在选择存储技术时，需要根据实际情况来选择，不能仅仅以存储密度为唯一标准。