随着现代电子技术的不断发展，电力电子器件也在不断更新换代。IGBT整流和可控硅整流作为两种常见的电力电子器件，各具特点，应用领域也不尽相同。

IGBT整流是一种新型的功率半导体器件，它是由MOSFET和BJT的结合体。其结构与普通MOSFET相似，但在基区加入P+掺杂，形成PNP型BJT。IGBT整流器具有导通电压低、导通电阻小、开关速度快、耐压高等优点。IGBT整流器的主要应用领域是高功率应用，如大型电机驱动、电力变换器等。

可控硅整流器是一种常见的电力电子器件，其主要由可控硅和二极管组成。可控硅整流器具有导通电压低、导通电阻小、可控性强、耐压高等优点。可控硅整流器的主要应用领域是低功率应用，如交流电源、直流电机调速、电磁炉等。

综上所述，IGBT整流和可控硅整流各具特点，应用领域也不尽相同。在高功率应用领域，IGBT整流器具有更好的性能表现；在低功率应用领域，可控硅整流器具有更广泛的应用。随着电力电子技术的不断发展，这两种电力电子器件的应用领域也在不断拓展，未来它们将会有更广泛的应用。